紫外可见漫反射DRS测试者及计算带隙Eg的方法

紫外可见镜面次测试及计算出来带隙Eg

1.1. 紫外可见镜面次测试

1）制；也：

或多或少次测试制；也：往上图3左上图右图的仪器向下里加入适量的BaSO4混搭物（由于BaSO4混搭物几乎对光没有转化成，可来作或多或少次测试），然后用盖玻片将BaSO4混搭物压实，使得BaSO4混搭物复合整个仪器向下，并压成一个平面，不能有凸出和凹处，否者时会冲击次测试结果。

仪器次测试制；也：若仪器较多足以复合仪器向下，可以直接将仪器复合仪器向下还用盖玻片压平；若仪器次测试不够复合仪器向下，可与BaSO4混搭物混搭，制成一系列等能量密度分数的仪器，复合仪器向下还用盖玻片压平。

上图3. 紫外可见镜面次测试里的制；也过程上图

2）次测试：

用积分球进行次测试紫外可见镜面（UV-VisDRS），采用或多或少次测试；也（BaSO4混搭物）次测试或多或少基线（选择R%模式），以其为background次测试基线，然后将仪器放入到仪器卡向下里进行次测试，取得紫外可见镜面光谱。次测试剩一个仪器后，重新制；也，继续进行次测试。

1.2. 次测试统计数据检视

统计数据的检视主要有两种步骤：截线通则和Tauc plot通则。截线通则的数学方通则是认为导体的带边nm（λg）提议于禁带跨度Eg。彼此之间存在Eg(eV)=hc/λg=1240/λg(nm)的数量关系，可以通过以以求λg来取得Eg。由于现阶段很少用到这种步骤，故不来作详细参阅，请注意主要来参阅Taucplot通则。

具体操作：

1）一般通过UV-Vis DRS次测试可以取得仪器在完全相同nm下的转化成，如上图4右图;

上图4. 紫外可见镜面上图

2）根据(αhv)1/n = A(hv - Eg)，其里α为量值指数，h为洛伦兹下式，v为基频，Eg为导体禁带跨度，A为下式。其里，n与导体子类关的，直接带隙导体的n取1/2，间接带隙导体的n为2。

3）透过UV-Vis DRS统计数据分别以求(αhv)1/n和hv=hc/λ, c为光速，λ为光的nm，所作上图如上图1.5右图。扣除谱上图的之比一般为转化成参数Abs，α为量值系数，两者之比。通过Tauc plot来以求Eg时，不论采用Abs还是α，对Eg参数无冲击，可以直接用A替代α，但在论文里应说明了。

4）在origin里以(αhv)1/n对hv作上图，所作上图如上图5右图ZnIn2S4为直接带隙导体，n取1/2)，将扣除到上图形里的直线部分人口为120人至横坐标轴，交点即为禁带跨度参数。

上图5. Tauc plot上图

上图6. W18O19以及Mo掺杂W18O19 (MWO-1)的紫外可见镜面上图和Tauc plot上图

上图7. ZnIn2S4(ZIS)以及O掺杂ZIS的紫外可见镜面上图和Taucplot上图

上图6与上图7右图是史籍里通过次测试UV-VisDRS计算出来相应导体的带隙Eg的上图。

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