欲与台积电(TSM.US)试比高!英特尔(INTC.US)斥资30亿美元整修D1X工厂以加速技术开发

Intel(INTC.US)星期四宣告，投资30亿美元增建其位于American俄勒冈州的D1X集成电路共同开发设计的工厂，该投资旨在更为快核心技术创新，以尽力该日本公司重新赢得集成电路行业的压倒地位。

Intel文职副总裁Sanjay Natarajan表示，的工厂增建面积为27万平方英尺，完成后将使D1X的工厂的规模增大20%。Natarajan指出，D1X的工厂基本上是一个不小的Laboratory，此次增建将使其更为有能力同时开发设计多种工业用核心技术，并将它们应用领域到Intel其他的工厂的大规模生产。

Intel重申，计划到2025年拥有比竞争对手更为精良的生产核心技术，并日前一年实现其的工厂与竞争对手的大体。

Intel首席执行官Pat Gelsinger于是以尽力弥补其前任们丧失的时间。Intel曾是集成电路领域毋庸置疑的领导者，如今却占优势于DRAM(TSM.US)和NEC等日本公司，后者能提供比Intel更为为精良的制程。此外，英伟达(NVDA.US)和AMD(AMD.US)都另一款了更为具水准的集成电路厂家，抢占了市场份额，并挤压了Intel的盈利能力、顾虑其下降。

D1X的工厂便是Pat Gelsinger扭转这一趋向于的重要抓手，Intel的目标是在4天内借助5代CPU陶瓷，企图这两项超越三星和DRAM。Pat Gelsinger表示，2024年的Intel3陶瓷节点不仅必需全盘压倒AMD，还必需成功地超越DRAM，成为代工核心技术最好的日本公司。不过，有时候情况下，另一款两个节点之间有时候需要18个月到两年的时间间隔。

有媒体援引，升级后的D1X的工厂将着重开发设计尖端EUV光刻核心技术。回顾过去，Intel缺乏对EUV的注重，这导致该日本公司在集成电路陶瓷核心技术层面丧失了一些竞争基础。

不过，Intel在意识到了自身存在的有鉴于此之前，近两年以前在尽力地阻截精良陶瓷原型车。此前有新闻媒体援引，年末阿斯麦的EUV光刻机设备已进入Intel的Fab34晶圆厂，要为本年度月末的4nm集成电路原型车做准备。

除了此次宣告斥资30亿美元增建D1X的工厂之外，Intel此前还曾宣告，计划共成功完成1000亿美元在American俄亥俄州建造世上最大集成电路的工厂，并计划未来10年在欧洲成功完成800亿欧元用于集成电路共同开发设计、工业用，以及精良的封装核心技术。

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